Transistors IGBT G80N60UFD 600V, 80A
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Transistors IGBT G80N60UFD 600V, 80A

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Description

Le G80N60 est un IGBT ultrarapide de 600 V, 80 A. L'IGBT est un transistor bipolaire à grille isolée.

Ce produit a des fonctions IGBT ultrarapides (Vces = 600V).

Le paquet est de type TO-3PN

Caractéristiques

1. Commutation à grande vitesse
2. Basse tension de saturation : VCE(sat)= 2,1 V @ IC = 40A
3. Haute impédance d'entrée
4. CO-PAK, IGBT avec FRD : trr = 50ns (typ.)

Valeurs nominales maximales absolues ( Tc = 25 °C )

1. Tension collecteur-émetteur : Vces = 600 V
2. Tension grille-émetteur : Vges = ± 20 V
3. Courant collecteur : Ic = 80 A
4. Puissance dissipée maximale : Pd = 195 W

Description

Le G80N60 est un IGBT ultrarapide de 600 V, 80 A. L'IGBT est un transistor bipolaire à grille isolée.

Ce produit a des fonctions IGBT ultrarapides (Vces = 600V).

Le paquet est de type TO-3PN

Caractéristiques

1. Commutation à grande vitesse
2. Basse tension de saturation : VCE(sat)= 2,1 V @ IC = 40A
3. Haute impédance d'entrée
4. CO-PAK, IGBT avec FRD : trr = 50ns (typ.)

Valeurs nominales maximales absolues ( Tc = 25 °C )

1. Tension collecteur-émetteur : Vces = 600 V
2. Tension grille-émetteur : Vges = ± 20 V
3. Courant collecteur : Ic = 80 A
4. Puissance dissipée maximale : Pd = 195 W

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