Transistor 2N1613 NPN Silicium M0422
Review: 5 - "A masterpiece of literature" by , written on May 4, 20020
Great

Transistor 2N1613 NPN Silicium M0422

Disponible:En stock
  • Référence du produit : 2N1613
  • Catégorie:Transistor
5.900
  • Commandez dans

1. Présentation générale

Le 2N1613 est un transistor bipolaire NPN en silicium destiné aux applications générales d’amplification et de commutation électronique.

Ce composant est conçu pour traiter des signaux électriques de faible à moyenne puissance et offre une bonne stabilité ainsi qu’une grande fiabilité dans les circuits analogiques.

Le marquage M0422 présent sur certains composants correspond généralement à un code de fabrication (lot/date/usine) et ne change pas la référence principale du transistor qui reste 2N1613.

Le 2N1613 est utilisé dans :

  • Circuits électroniques analogiques
  • Amplificateurs
  • Montages de commutation
  • Projets électroniques éducatifs
  • Réparation d’équipements électroniques anciens
  • Prototypes et expérimentations

2. Type et technologie

  • Référence : 2N1613
  • Type : Transistor bipolaire (BJT)
  • Polarité : NPN
  • Technologie : Silicium
  • Mode de fonctionnement :
    • Amplification
    • Commutation
  • Boîtier : TO-39 métallique
  • Montage : Traversant (Through Hole)

3. Principe de fonctionnement

Le transistor 2N1613 possède trois électrodes :

  • Base (B)
  • Collecteur (C)
  • Émetteur (E)

Son fonctionnement repose sur le principe suivant :

  • Un petit courant appliqué sur la base permet de contrôler un courant plus important circulant entre le collecteur et l’émetteur.
  • Il peut donc être utilisé comme :

Amplificateur

  • Amplification de signaux électriques faibles
  • Augmentation du niveau d’un signal

Interrupteur électronique

  • Passage entre l’état bloqué (OFF)
  • et l’état conducteur (ON)

4. Caractéristiques techniques principales

  • Référence : 2N1613
  • Type : NPN
  • Matériau : Silicium

Limites électriques :

  • Tension collecteur-émetteur (VCEO) :
    • environ 30 à 50 V selon version
  • Tension collecteur-base (VCBO) :
    • jusqu’à environ 75 V
  • Tension émetteur-base (VEBO) :
    • environ 7 V
  • Courant collecteur maximum (IC) :
    • environ 500 mA
  • Puissance dissipée :
    • environ 0,8 W
  • Fréquence de transition :
    • quelques dizaines de MHz selon conditions

5. Brochage du boîtier TO-39

Configuration typique :

Broche Fonction
1 Émetteur (E)
2 Base (B)
3 Collecteur (C)

⚠️ Le brochage peut varier selon le fabricant, il est conseillé de vérifier le datasheet avant montage.


6. Applications principales

Amplification de signaux

Utilisé pour :

  • Préamplificateurs
  • Amplification audio
  • Traitement de petits signaux

Commutation électronique

Applications :

  • Commande de petites charges
  • Circuits de contrôle
  • Interrupteurs électroniques

Circuits analogiques

Peut être utilisé dans :

  • Oscillateurs
  • Générateurs de signaux
  • Circuits de polarisation
  • Montages expérimentaux

Projets électroniques

Adapté pour :

  • Apprentissage de l’électronique
  • Projets Arduino avec circuits de commande
  • Prototypes électroniques

7. Avantages du 2N1613

✔ Transistor NPN polyvalent
✔ Bonne capacité d’amplification
✔ Boîtier métallique robuste
✔ Bonne stabilité thermique
✔ Simple à intégrer dans les circuits
✔ Convient aux applications générales
✔ Disponible pour les montages traversants classiques


8. Limitations

  • Courant limité à environ 500 mA
  • Non adapté aux applications de forte puissance
  • Nécessite un circuit de commande adapté
  • Technologie plus ancienne comparée aux transistors modernes

9. Résumé

Le 2N1613 est un transistor bipolaire NPN en silicium à usage général, fabriqué en boîtier métallique TO-39. Il est principalement utilisé pour l’amplification de signaux, la commutation électronique et les montages analogiques. Grâce à sa robustesse et sa polyvalence, il reste un composant apprécié pour les projets électroniques, l’apprentissage et la réparation de circuits classiques.

1. Présentation générale

Le 2N1613 est un transistor bipolaire NPN en silicium destiné aux applications générales d’amplification et de commutation électronique.

Ce composant est conçu pour traiter des signaux électriques de faible à moyenne puissance et offre une bonne stabilité ainsi qu’une grande fiabilité dans les circuits analogiques.

Le marquage M0422 présent sur certains composants correspond généralement à un code de fabrication (lot/date/usine) et ne change pas la référence principale du transistor qui reste 2N1613.

Le 2N1613 est utilisé dans :

  • Circuits électroniques analogiques
  • Amplificateurs
  • Montages de commutation
  • Projets électroniques éducatifs
  • Réparation d’équipements électroniques anciens
  • Prototypes et expérimentations

2. Type et technologie

  • Référence : 2N1613
  • Type : Transistor bipolaire (BJT)
  • Polarité : NPN
  • Technologie : Silicium
  • Mode de fonctionnement :
    • Amplification
    • Commutation
  • Boîtier : TO-39 métallique
  • Montage : Traversant (Through Hole)

3. Principe de fonctionnement

Le transistor 2N1613 possède trois électrodes :

  • Base (B)
  • Collecteur (C)
  • Émetteur (E)

Son fonctionnement repose sur le principe suivant :

  • Un petit courant appliqué sur la base permet de contrôler un courant plus important circulant entre le collecteur et l’émetteur.
  • Il peut donc être utilisé comme :

Amplificateur

  • Amplification de signaux électriques faibles
  • Augmentation du niveau d’un signal

Interrupteur électronique

  • Passage entre l’état bloqué (OFF)
  • et l’état conducteur (ON)

4. Caractéristiques techniques principales

  • Référence : 2N1613
  • Type : NPN
  • Matériau : Silicium

Limites électriques :

  • Tension collecteur-émetteur (VCEO) :
    • environ 30 à 50 V selon version
  • Tension collecteur-base (VCBO) :
    • jusqu’à environ 75 V
  • Tension émetteur-base (VEBO) :
    • environ 7 V
  • Courant collecteur maximum (IC) :
    • environ 500 mA
  • Puissance dissipée :
    • environ 0,8 W
  • Fréquence de transition :
    • quelques dizaines de MHz selon conditions

5. Brochage du boîtier TO-39

Configuration typique :

Broche Fonction
1 Émetteur (E)
2 Base (B)
3 Collecteur (C)

⚠️ Le brochage peut varier selon le fabricant, il est conseillé de vérifier le datasheet avant montage.


6. Applications principales

Amplification de signaux

Utilisé pour :

  • Préamplificateurs
  • Amplification audio
  • Traitement de petits signaux

Commutation électronique

Applications :

  • Commande de petites charges
  • Circuits de contrôle
  • Interrupteurs électroniques

Circuits analogiques

Peut être utilisé dans :

  • Oscillateurs
  • Générateurs de signaux
  • Circuits de polarisation
  • Montages expérimentaux

Projets électroniques

Adapté pour :

  • Apprentissage de l’électronique
  • Projets Arduino avec circuits de commande
  • Prototypes électroniques

7. Avantages du 2N1613

✔ Transistor NPN polyvalent
✔ Bonne capacité d’amplification
✔ Boîtier métallique robuste
✔ Bonne stabilité thermique
✔ Simple à intégrer dans les circuits
✔ Convient aux applications générales
✔ Disponible pour les montages traversants classiques


8. Limitations

  • Courant limité à environ 500 mA
  • Non adapté aux applications de forte puissance
  • Nécessite un circuit de commande adapté
  • Technologie plus ancienne comparée aux transistors modernes

9. Résumé

Le 2N1613 est un transistor bipolaire NPN en silicium à usage général, fabriqué en boîtier métallique TO-39. Il est principalement utilisé pour l’amplification de signaux, la commutation électronique et les montages analogiques. Grâce à sa robustesse et sa polyvalence, il reste un composant apprécié pour les projets électroniques, l’apprentissage et la réparation de circuits classiques.

Categories
  • electro-track-order-icon
  • livraison Gratuite
    à partie de 100 TND