Transistors IGBT G80N60UFD 600V, 80A
- Référence du produit : G80N60
- Catégorie:Circuit
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Description
Le G80N60 est un IGBT ultrarapide de 600 V, 80 A. L'IGBT est un transistor bipolaire à grille isolée.
Ce produit a des fonctions IGBT ultrarapides (Vces = 600V).
Le paquet est de type TO-3PN
Caractéristiques
1. Commutation à grande vitesse
2. Basse tension de saturation : VCE(sat)= 2,1 V @ IC = 40A
3. Haute impédance d'entrée
4. CO-PAK, IGBT avec FRD : trr = 50ns (typ.)
Valeurs nominales maximales absolues ( Tc = 25 °C )
1. Tension collecteur-émetteur : Vces = 600 V
2. Tension grille-émetteur : Vges = ± 20 V
3. Courant collecteur : Ic = 80 A
4. Puissance dissipée maximale : Pd = 195 W
Description
Le G80N60 est un IGBT ultrarapide de 600 V, 80 A. L'IGBT est un transistor bipolaire à grille isolée.
Ce produit a des fonctions IGBT ultrarapides (Vces = 600V).
Le paquet est de type TO-3PN
Caractéristiques
1. Commutation à grande vitesse
2. Basse tension de saturation : VCE(sat)= 2,1 V @ IC = 40A
3. Haute impédance d'entrée
4. CO-PAK, IGBT avec FRD : trr = 50ns (typ.)
Valeurs nominales maximales absolues ( Tc = 25 °C )
1. Tension collecteur-émetteur : Vces = 600 V
2. Tension grille-émetteur : Vges = ± 20 V
3. Courant collecteur : Ic = 80 A
4. Puissance dissipée maximale : Pd = 195 W
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