Transistor IGBT SMD FGH40T120 1200V 40A

Utilisant la technologie innovante d'IGBT à tranchée d'arrêt de champ, la nouvelle série d'IGBT à tranchée d'arrêt de champ d'ON Semiconducteur offre des performances optimales pour les applications de commutation difficiles telles que les onduleurs solaires, les onduleurs, les soudeuses et les applications PFC.

Caractéristiques

• Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif
• Commutation à grande vitesse
• Basse tension de saturation : VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100 % des pièces testées pour l'ILM(1)
• Impédance d'entrée élevée
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes RoHS

Applications

• Applications d'onduleur solaire, de soudeur, d'UPS et de PFC